Nhảy đến nội dung
x

Giải thưởng Tạ Quang Bửu năm 2020

Ngày 9/3/2020, Quỹ Phát triển Khoa học và Công nghệ Quốc gia (NAFOSTED) đã thông báo danh sách các nhà khoa học được đề cử cho Giải thưởng Tạ Quang Bửu năm 2020. Đây là giải thưởng cấp Nhà nước duy nhất hiện nay dành cho các đóng góp xuất sắc nhất thuộc lĩnh vực nghiên cứu cơ bản. Theo thể lệ của giải thưởng (https://taquangbuuprize.nafosted.gov.vn/), các nhà khoa học được đề cử phải trải qua nhiều vòng tuyển chọn gắt gao từ Hội đồng khoa học của Quỹ và sự suy tôn của các nhà khoa học cùng chuyên ngành, cũng như của phản biện quốc tế uy tín. Đây là các chuyên gia cùng chuyên ngành nên sự đề cử, nhận xét của họ là khách quan và xác đáng. Cuối cùng Hội đồng giải thưởng gồm những nhà khoa học có nhiều thành tựu nhất của Việt Nam và quốc tế bình chọn. Do đó việc có tên trong danh sách rút gọn đã được xem là một vinh dự cho nhà khoa học. Năm nay, TS. Nguyễn Trương Thanh Hiếu-Trưởng Phòng Thí nghiệm Vật lý Ứng dụng của Viện Tiên tiến Khoa học Vật liệu (AIMaS), trường Đại học Tôn Đức Thắng vinh dự đạt Giải thưởng dành cho nhà khoa học trẻ là tác giả của công trình khoa học xuất sắc “Low-energy electron inelastic mean free path in materials” xuất bản trên tạp chí Applied Physics Letters số 108, trang 172901, năm 2016. Đây là tạp chí uy tín nhất thuộc chuyên ngành Vật lý ứng dụng và được chỉ mục vào Nature Index. Công trình do NAFOSTED hỗ trợ kinh phí và được thực hiện từ tháng 9/2015, ngay khi TS. Nguyễn Trương Thanh Hiếu vừa tốt nghiệp Tiến sỹ từ Nga về công tác tại Đại học Tôn Đức Thắng.

https://nafosted.gov.vn/giai-thuong-ta-quang-buu-nam-2020-duoc-trao-cho-ba-nha-khoa-hoc-thuoc-cac-linh-vuc-khoa-hoc-y-duoc-toan-hoc-va-vat-ly/

 Low-energy electron inelastic mean free path in materials


Công trình đề cập đến một trong những vấn đề quan trọng nhất của vật lý hiện đại, đó là xác định quãng đường tự do trung bình của điện tử. Đây là một đại lượng quan trọng trong lý thuyết tán xạ điện tử, đóng vai trò thông tin đầu vào trong các phương pháp phân tích bề mặt vật liệu bằng kỹ thuật phổ điện tử và chụp ảnh vật liệu ở cấp độ hiển vi điện tử. Suốt nhiều thập kỷ, các kỹ thuật thực nghiệm và mô hình lý thuyết đã được xây dựng để xác định đại lượng này. Tuy nhiên, kết quả thu được đối với điện tử năng lượng thấp (dưới 100 eV) lại có độ bất định lớn và không đáng tin cậy, trong khi ở vùng năng lượng này, thông tin về quãng đường tự do trung bình của điện tử rất cần thiết cho kỹ thuật nhiễu xạ điện tử năng lượng thấp, cũng như cho các nghiên cứu liên quan đến vận chuyển điện tử năng lượng thấp trong nước lỏng và tế bào sinh học.
Do đó để giải quyết khó khăn này, công trình của TS. Nguyễn Trương Thanh Hiếu đã đề xuất một phương pháp tổng quát nhằm xác định chính xác hơn quãng đường tự do trung bình của điện tử năng lượng thấp. Theo đó, đại lượng này được tính toán trong hệ hình thức điện môi, sử dụng hàm mất năng lượng thu được từ lý thuyết phiếm hàm mật độ. Do có tính tổng quát cao nên phương pháp tính được đề xuất trong bài báo có thể áp dụng cho nhiều loại vật liệu khác nhau, từ vật liệu khối có cấu trúc tinh thể cho đến vật liệu vô định hình (như nước lỏng), và cả vật liệu hai chiều đang rất được quan tâm hiện nay.
Chúc mừng thành công công của TS. Nguyễn Trương Thanh Hiếu. Đây không chỉ là vinh dự riêng của cá nhân của TS. Hiếu mà còn là nguồn động viên lớn cho toàn thể thành viên của AIMaS, một Viện nghiên cứu non trẻ chỉ mới vừa thành lập chưa đến 3 năm.